Vishay giới thiệu các điốt schottky thế hệ thứ ba mới 1200 V SIC để cải thiện hiệu quả năng lượng và độ tin cậy của thiết kế cung cấp năng lượng chuyển đổi

Thiết bị áp dụng thiết kế cấu trúc MPS, được xếp hạng 5 A ~ 40 A, giảm điện áp về phía trước thấp, điện tích tụ thấp và dòng rò ngược thấp

Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hôm nay đã công bố sự ra mắt của 16 diodes Schottky thế hệ thứ ba thế hệ thứ ba mới. Các chất bán dẫn Vishay có thiết kế pin schottky (MPS) hybrid với bảo vệ dòng điện tăng cao, giảm điện áp thấp, điện tích điện dung thấp và dòng rò ngược thấp, giúp cải thiện hiệu quả năng lượng và độ tin cậy của thiết kế cung cấp năng lượng.

Thế hệ mới của các diodes sic được công bố ngày hôm nay bao gồm 5 A đến 40 thiết bị trong TO-220AC 2L, TO-247AD 2L và TO-247AD Các gói cắm 3L 3L và các gói gắn bề mặt D2PAK 2L (TO-263AB 2L). Do cấu trúc MPS - sử dụng công nghệ mỏng ủ laser - điện tích tụ diode thấp tới 28 NC và điện áp chuyển tiếp giảm xuống còn 1,35 V. Ngoài ra, dòng rò ngược điển hình của thiết bị ở 25 ° C là Chỉ 2,5 Phaa, do đó giảm tổn thất bật tắt và đảm bảo hiệu quả năng lượng cao trong thời gian ánh sáng và không tải. Không giống như các điốt phục hồi cực nhanh, các thiết bị thế hệ thứ ba không có dấu hiệu phục hồi, cho phép tăng hiệu quả hơn nữa.

Các ứng dụng điển hình cho các điốt cacbua silicon bao gồm các bộ chuyển đổi FBP và LLC cho hiệu chỉnh hệ số công suất AC/DC (PFC) và chỉnh lưu đầu ra DC/DC UHF cho các bộ biến tần quang điện, hệ thống lưu trữ năng lượng, ổ đĩa công nghiệp, trung tâm dữ liệu và nhiều hơn nữa. Trong các ứng dụng khắc nghiệt này, thiết bị hoạt động ở nhiệt độ lên tới +175 ° C và cung cấp bảo vệ dòng điện tăng phía trước lên đến 260 A. Ngoài ra, gói D2PAK 2L sử dụng vật liệu dẻo CTI ³ 600 cao để đảm bảo cách nhiệt tuyệt vời khi điện áp tăng lên.

Thiết bị này rất đáng tin cậy, tuân thủ ROHS, không có halogen và đã vượt qua 2000 giờ thử nghiệm độ lệch ngược nhiệt độ cao (HTRB) và chu kỳ nhiệt độ chu kỳ nhiệt 2000.